鉭靶材：鉭平面靶材、鉭多弧靶材
用途：主要應(yīng)用于半導(dǎo)體鍍膜和光學(xué)鍍膜
牌號：RO5200, RO5400, RO5252(Ta-2.5W), RO5255(Ta-10W)
純度：99.9%，99.95% ,99.99%
規(guī)格：
方靶材，厚度x寬度x長度=(1mm～25mm)x≤(10mm-800mm)x≤2000mm
圓靶材，直徑x厚度=Φ(25mm-800mm) x (3mm～28mm)
公差：直徑公差+/- 0.254；
再結(jié)晶：最少95%；
晶粒度：最小40μm；
表面粗糙度：Ra 0.8 最大；
平整度：0.1mm or 0.10% 最大；
成份：
|
牌號 |
主要成份 |
雜質(zhì)含量 不大于% |
|||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Ta |
Nb |
Fe |
Si |
Ni |
W |
Mo |
Ti |
Nb |
O |
C |
H |
N |
|
|
Ta1 |
剩余 |
—— |
0.005 |
0.005 |
0.002 |
0.01 |
0.01 |
0.002 |
0.04 |
0.02 |
0.01 |
0.0015 |
0.01 |
|
Ta2 |
剩余 |
—— |
0.03 |
0.02 |
0.005 |
0.04 |
0.03 |
0.005 |
0.1 |
0.03 |
0.01 |
0.0015 |
0.01 |
|
TaNb3 |
剩余 |
＜3.5 |
0.03 |
0.03 |
0.005 |
0.04 |
0.03 |
0.005 |
—— |
0.03 |
0.01 |
0.0015 |
0.01 |
|
TaNb20 |
剩余 |
17.0～23.0 |
0.03 |
0.03 |
0.005 |
0.04 |
0.03 |
0.005 |
—— |
0.03 |
0.01 |
0.0015 |
0.01 |
|
Ta2.5W |
剩余 |
|
0.005 |
0.005 |
0.002 |
3.0 |
0.01 |
0.002 |
0.04 |
0.02 |
0.01 |
0.0015 |
0.01 |
|
Ta10W |
剩余 |
|
0.005 |
0.005 |
0.002 |
11 |
0.01 |
0.002 |
0.04 |
0.02 |
0.01 |
0.0015 |
0.01 |
我司可提供質(zhì)量優(yōu)良的鉭靶材。純度為3N到5N，晶粒度致密性好，使用性能穩(wěn)定。
應(yīng)用：鉭靶主要應(yīng)用于光導(dǎo)纖維、半導(dǎo)體、集成電路和磁記錄等濺射沉積鍍膜，鉭靶材可用于陰極濺射涂層，高真空吸氣活性材料等。
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