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　　以 InAs 單晶為襯底可以生長 InAsSb/In－AsPSb,InNAsSb等異質(zhì)結(jié)材料,制作波長 2～14μm的紅外發(fā)光器件，用 InAs單晶襯底還可以外延生長AlGaSb超晶格結(jié)構(gòu)材料 ,制作中紅外量子級(jí)聯(lián)激光器。.這些紅外器件在氣體監(jiān)測、低損耗光纖通信等領(lǐng)域有良好的應(yīng)用前景.此外, InAs 單晶具有很高的電子遷移率 ,是一種制作 Hall 器件的理想材料。作為單晶襯底 , InAs 材料需要具備低的位錯(cuò)密度、 良好的晶格完整性、 合適的電學(xué)參數(shù)和較高的均勻性. InP單晶材料的主要生長方法是傳統(tǒng)液封直拉技術(shù)（LEC）。

晶體	結(jié)構(gòu)	晶向	熔點(diǎn) oC	密度 g/cm3	禁帶寬度
InAs	立方, a=6.058 A	<100>	942	5.66	0.45

砷化銦(InAs)單晶基片主要性能參數(shù)

單晶	摻雜	導(dǎo)電類型		載流子濃度 cm-3	遷移率(cm2/V.s)	位錯(cuò)密度(cm-2)	標(biāo)準(zhǔn)基片
InAs	本征	N		5*1016	2*104	<5*104	Φ2″×0.5mm Φ3″×0.5mm
InAs	Sn	N		(5-20)*1017	>2000	<5*104	Φ2″×0.5mm Φ3″×0.5mm
InAs	Zn	P		(1-20) *1017	100-300	<5*104	Φ2″×0.5mm Φ3″×0.5mm
InAs	S	N		(1-10)*1017	>2000	<5*104	Φ2″×0.5mm Φ3″×0.5mm

尺寸（mm）			Dia50.8x0.5mm,10×10×0.5mm、10×5×0.5mm可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸的襯底
表面粗糙度			Surface roughness(Ra):<=5A 可提供原子粒顯微鏡（AFM）檢測報(bào)告
拋光			單面或雙面
包裝			100級(jí)潔凈袋，1000級(jí)超凈室