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　　鎵酸釹（NdGaO3）晶體基片是近十年中發(fā)展起來的新型基片，主要用作高溫超導體（如YBCO）及磁性材料的外延薄膜生長用基片。由于NdGaO3與YBCO的晶格失配很小（~0.27%），且無結(jié)構(gòu)相變，在NdGaO3基片上可外延生長質(zhì)量良好的薄膜。

鎵酸釹（NdGaO3）晶體基片主要性能參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu)	正交
晶胞參數(shù)Å	a=5.43、b=5.50、c=7.71
熔點	1600℃
密度	7.57g/cm3
介電常數(shù)	25
生長方法	提拉法
尺寸	10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20， Ф15,Ф20，Ф1″，Ф2″,Ф2.6″
厚度	0.5mm，1.0mm
拋光	單面或雙面
晶向	＜100＞  ＜110＞  ＜111＞
晶面定向精度:	±0.5°
邊緣定向精度:	2°（特殊要求可達1°以內(nèi)）
斜切晶片	可按特定需求，加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜（傾斜角1°－45°）的晶片
Ra:	≤5Å（5µm×5µm）
包裝	100級潔凈袋，1000級超凈室