鋁酸鑭（LaAlO3）單晶是當(dāng)前最重要的工業(yè)化、大尺寸高溫超導(dǎo)薄膜基片單晶材料。它用提拉法生長(zhǎng)，可以得到直徑2英吋及更大的單晶和基片。它與YBaCuO等高溫超導(dǎo)材料和晶格匹配好，介電常數(shù)較低，微波損耗小，因而適于制作高溫超導(dǎo)微波電子器件（如遠(yuǎn)程通訊中的高溫超導(dǎo)微波濾波器等）。有巨大的現(xiàn)實(shí)及潛在的應(yīng)用前景。
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晶系
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六方（常溫）
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立方（>435℃）
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晶格常數(shù)
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六方a=5.357A c=13.22 A
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立方a=3.821 A
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熔點(diǎn)（℃）
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2080
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密度
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6.52（g/cm3）
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硬度
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6-6.5（mohs）
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熱膨脹系數(shù)
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9.4x10-6/℃
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介電常數(shù)
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ε=21
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損耗正切（10ghz)
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～3×10-4@300k,～0.6×10-4@77k
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顏色及外觀(guān)
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依退火狀況而不同，由棕黃色到褐色
拋光基片有自然孿晶疇 |
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化學(xué)穩(wěn)定性
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室溫下不溶于礦物酸，溫度大于150℃時(shí)可溶于h3po4
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特點(diǎn)
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適于微波電子器件
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生長(zhǎng)方法
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提拉法
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尺寸
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10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，Ф15,Ф20，Ф1″，Ф2″,Ф2.6″
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厚度
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0.5mm，1.0mm
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拋光
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單面或雙面
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晶向
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＜100＞ ＜110＞ ＜111＞
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晶面定向精度:
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±0.5°
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邊緣定向精度:
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2°（特殊要求可達(dá)1°以?xún)?nèi)）
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斜切晶片
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可按特定需求，加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜（傾斜角1°－45°）的晶片
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Ra:
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≤5Å（5µm×5µm）
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包裝
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100級(jí)潔凈袋，1000級(jí)超凈室
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